10月30日，臺灣信息儲存技術協會在臺北晶華酒店舉辦第十五屆臺灣信息儲存技術協會年會。我司代表受邀參加了此次活動。
會上，頒發了第15屆臺灣信息儲存技術獎項，今年 “杰出信息儲存獎章”得獎者為國立交通大學終身講座教授施敏教授，他與其領導的團隊在51年前發明了“浮動閘極存儲效應(Floating Gate Memory Effect)”，此獎章也是臺灣信息儲存界最高的榮譽獎。
施敏博士于1967年發現“浮動閘極存儲效應(Floating Gate Memory Effect)”，此一重大的發現成為包括閃存(Flash Memory)在內所有可程序化“非揮發性半導體存儲器件”的基礎，這項劃時代的發現促成信息儲存的革命性發展并開啟了數字時代。
活動期間，我司代表與施敏教授，以及其他產業領袖、專家學者進行了深入的溝通交流，為兩地未來在存儲技術的互動合作奠定基礎。
成立已逾15年的臺灣信息儲存技術協會一直致力于加速臺灣信息儲存關鍵性技術研發與產品的規格創新，推動上、中、下游之分工與整合，解決共通性之技術問題，建立完整的信息儲存基礎環境與產業體系。 |
