2017年3月27日，為紀念施敏教授“浮動閘極存儲效應(Floating Gate Memory)”發明50周年，“非揮發性存儲 – 數字時代的技術推動力”國際研討會在臺灣交通大學舉辦。
本次研討會邀請了施敏教授等7位在非揮發性存儲技術領域的頂尖國際專家演講，并分享了他們對未來存儲技術發展趨勢的觀點。中國科學院院士、中國科學院微電子器件與集成技術重點實驗室主任劉明等來自全球各地的百余名業界專家學者、企業代表和交通大學學生參加了本次研討會。我公司代表也應邀參加了了本次活動 。
50年前，施敏教授和其領導的團隊發明了浮動閘極存儲效應技術，從而引發了在非揮發性存儲技術方面的科技革命并一直延續到今天。浮動閘極存儲效應的發明為后來一系列存儲器件（包括Flash存儲器和EEPROM等）的誕生創造了條件，是移動電話、筆記本電腦、IC卡、數碼相機及便攜式電子產品的關鍵部件，對人類科技進步產生了積極推動作用，尤其是對存儲器領域的進步產生了重大影響。
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